بررسی تاثیر وجود پیوندگاه وطول فلزات گیت بر روی عملکردترانزیستور نانوسیمی سیلیکنی تمام گیت استوانه ای چهار فلزی
Paper ID : 1214-ICTCK (R4)
Authors:
1اکرم نصرآبادی *, 2محمد جوادیان صراف
1دانشجوی کارشناسی ارشد/دانشگاه آزاداسلامی ،واحدنیشابور
2کمیته علمی
Abstract:
در این تحقیق عملکردترانزیستورنانوسیمی سیلیکنی تمام اطراف گیت استوانه ای بدون پیوند(nnn) و با پیوند(npn) شبیه سازی ،بررسی ومقایسه شده است.این مقایسه در دو حالت با طول فلزات گیت مساوی 7.5 نانومتر و طول فلزات گیت مختلف (12و8و6و4) نانومترانجام گرفته است . در این روش فلز نزدیک سورس بالاترین تابع کار و فلز نزدیک درین کمترین تابع کاررا دارا می باشد. در این تحقیق طول گیت 30 نانومتر، ضخامت نانوسیم 1نانومتر، ضخامت (Sio2) 1 نانومتر و ضخامت (Hfo2) 3نانومتر وضخامت گیت 2نانومتر
می باشد NG=1× 10E(19) cm−3 ND=NS=1× 10E(20) cm−3 , در این تحقیق از شبیه ساز Atlas Silvaco device Simulator برای شبیه سازی استفاده شده است. متغیرهای مورد بررسی در این تحقیق، ولتاژآستانه، DIBL(کاهش سدپتانسیل ناشی از ولتاژدرین )، Ion(جریان روشنی) و Ioff(جریان خاموشی) می باشد. ولتاژ آستانه درترانزیستورپیوندی با طول فلزات گیت نامساوی بیشترین مقدار بوده است. Ion در ترانزیستوربدون پیوند با طول فلزات گیت مساوی دارای بیشترین مقدار و Ioff درترانزیستورپیوندی با طول فلزات گیت مساوی کمترین مقداررا دارا می باشد. در حالت کلی، ترانزیستور با پیوند با طول فلزات گیت نامساوی در مقایسه با سایرترانزیستورها دارای کمترین مقدارDIBL می باشد.
Keywords:
بدون پیوند، تمام اطراف گیت استوانه ای ، کاهش سد پتانسیل ناشی از ولتاژ درین، ، ولتاژ آستانه
Status : Paper Accepted